Мы в VK
Треххлористый бор | Трихлорид бора, хлорид бора, треххлористый бор ВЧ

Класс чистоты
Чистота
Примеси [ppm]
O2 |
N2 |
CO |
CO2 |
CnHm |
Fe |
Cl2 |
Фосген |
||
Треххлористый бор 3.0 |
≥99.9% |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
≤100%(w) |
≤200%(w) |
Треххлористый бор 4.0 |
≥99.99% |
≤5 |
≤50 |
≤5 |
≤50 |
≤5 |
— |
— |
— |
Треххлористый бор 5.0 |
≥99.999% |
≤1 |
≤2 |
≤1 |
≤5 |
≤1 |
≤0.2 %(w) |
— |
— |
![]() ![]() | ![]() |
1-10 литров |
11-20 литров |
40-50 литров |
Алюминиевые |
Моноблоки |
Другая тара |
![]() |
![]() |
|
|
|
|
Трихлорид бора представляет собой тяжёлый бесцветный газ с резким запахом, вследствие взаимодействия с парами воды дымящийся во влажном воздухе. Тяжелее воздуха.
Международная маркировка в соответствии с СГС (GHS)
Сигнальное слово: ОСТОРОЖНО
![]() ![]() ![]() |
H-фразы: Сжиженный газ → H280 – Содержит газ под давлением; при нагревании может произойти взрыв; EUH014 – Бурно реагирует на воду; H330 – Смертельно при вдыхании; H300 – Смертельно при проглатывании; H314 – Вызывает серьёзные ожоги кожи и повреждения глаз; EUH071 – Разъедающее действие на дыхательные пути. |
![]() |
ADR Класс: 2 2TC |
В России используется промышленный метод получения треххлористого бора — хлорирование карбида бора при температуре 900—1000°C. Также в промышленности используют метод хлорирования при температуре ~1000°C смеси оксида бора и кокса. В лабораторной практике трихлорид бора получают разложением его аддуктов, например, BCl3S(СН3)2, которые удобны в работе, так как являются твёрдыми веществами.
- Треххлористый бор является исходным материалом для производства чистого бора.
- Он также используется в переработке алюминия, магния, цинка и сплавов меди для удаления нитридов, карбидов и оксидов из расплавленного металла.
- Трихлорид бора использовался как флюс для пайки сплавов алюминия, железа, цинка, вольфрама и медно-никелевого сплава.
- Обработка жидкого алюминия парами трихлорида бора улучшает качество отливок.
- Используется при изготовлении электрических сопротивлений для приклеивания углеродной пленки к керамической основе.
- Используется в плазменном травлении в производстве микроэлектроники.
- Используется как реагент в органическом синтезе.
Молекулярная масса |
117.17 |
|||
Точка кипения |
при 1.013 бар [°C] |
12.5 |
при 14.5 psi [°F] |
54.52 |
Плотность газа |
при 1.013 бар, 15°C [кг/м³] |
5.162 |
при 1 атм., 70 °F [lb/ft³] |
0.315 |
Давление жидкости |
при 0 °C [бар] |
0.63 |
при 32 °F [psi] |
9.09 |
|
при 20 °C [бар] |
1.33 |
при 70 °F [psi] |
19.91 |
Диапазон КПРП [%] |
|
— |
|
|
